MOSFET Infineon IRLML0030TRPBF, VDSS 30 V, ID 5,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
27 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
1.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,6 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.02mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 2,90
€ 0,145 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
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20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,145 | € 2,90 |
| 200 - 480 | € 0,103 | € 2,06 |
| 500 - 980 | € 0,095 | € 1,89 |
| 1000 - 1980 | € 0,09 | € 1,80 |
| 2000+ | € 0,083 | € 1,65 |
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Series
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Tipo de Encapsulado
SOT-23
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
27 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
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Ancho
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
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1
Longitud
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.02mm
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MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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