MOSFET Infineon IRL540NPBF, VDSS 100 V, ID 36 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
36 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
44 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
140000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Largo
10.54mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
74 nC a 5 V
Anchura
4.69mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
8.77mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,26 |
| 10 - 49 | € 1,12 |
| 50 - 99 | € 1,05 |
| 100 - 249 | € 0,98 |
| 250+ | € 0,91 |
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
44 mΩ
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Largo
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Si
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La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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