MOSFET Infineon IRFTS9342TRPBF, VDSS 30 V, ID 5,8 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 165-8190Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFTS9342TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TSOP-6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

66 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

1.75mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Altura

1.3mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 456,95

$ 0,152 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

MOSFET Infineon IRFTS9342TRPBF, VDSS 30 V, ID 5,8 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000$ 456,95
6000$ 865,79
9000$ 1.214,51
12000$ 1.619,35
15000$ 2.024,19
18000$ 2.429,03
21000$ 2.833,87
24000$ 3.238,71
27000$ 3.643,54
30000$ 4.048,38
33000$ 4.453,22
36000$ 4.858,06
39000$ 5.262,90
42000$ 5.667,74
45000$ 6.072,57

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15000$ 2.024,19
18000$ 2.429,03
21000$ 2.833,87
24000$ 3.238,71
27000$ 3.643,54
30000$ 4.048,38
33000$ 4.453,22
36000$ 4.858,06
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
3000 - 3000$ 0,152$ 456,95
6000 - 6000$ 0,144$ 432,90
9000+$ 0,135$ 404,84

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P

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Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TSOP-6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

66 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

1.75mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Altura

1.3mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

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