MOSFET Infineon IRFSL4321PBF, VDSS 150 V, ID 85 A, TO-262 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
85 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-262
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
350000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Ancho
4.83mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
71 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.65mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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85 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-262
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
15 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
350000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Ancho
4.83mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
71 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.65mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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