Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
240 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK-7
Series
StrongIRFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
236 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.67mm
Material del transistor
Si
Ancho
9.65mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.83mm
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 7,04
€ 3,521 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
2
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240 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK-7
Series
StrongIRFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
236 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.67mm
Material del transistor
Si
Ancho
9.65mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.83mm
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.