Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
128 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
75 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.0058 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
€ 16,18
€ 1,618 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
€ 16,18
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N
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128 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
75 V
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HEXFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.0058 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Número de Elementos por Chip
1
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Si