MOSFET Infineon IRFR5505TRPBF, VDSS 55 V, ID 18 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 827-4072PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFR5505TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

18 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

110 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

57000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

6.22mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

32 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

2.39mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 81,10

$ 0,811 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Infineon IRFR5505TRPBF, VDSS 55 V, ID 18 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

100

Disponible en múltiplos de 20
100$ 81,10
120$ 97,32
140$ 113,53
160$ 129,75
180$ 145,97
200$ 155,47
220$ 171,01
240$ 186,56
260$ 202,11
280$ 217,65
300$ 233,20
320$ 248,75
340$ 264,29
360$ 279,84
380$ 295,39

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180$ 145,97
200$ 155,47
220$ 171,01
240$ 186,56
260$ 202,11
280$ 217,65
300$ 233,20
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
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200 - 480$ 0,777$ 15,55
500 - 980$ 0,726$ 14,51
1000+$ 0,683$ 13,66

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P

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55 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

110 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

57000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

6.22mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

32 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

2.39mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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