MOSFET Infineon IRFR5410TRPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
205 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
66 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.22mm
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
58 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 17,35
€ 0,868 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
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Montaje superficial
Conteo de Pines
3
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205 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
66 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.22mm
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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Altura
2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
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MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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