MOSFET Infineon IRFR5305TRLPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
31,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
IRFR5305PBF
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
7.49mm
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
2.39mm
€ 1.434,12
€ 0,478 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
€ 1.434,12
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3000
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InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
31,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
IRFR5305PBF
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
7.49mm
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
2.39mm