MOSFET Infineon IRFP90N20DPBF, VDSS 200 V, ID 94 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 639-1857PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFP90N20DPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

94 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-200 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-247AC

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

23 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

580 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Ancho

5.3mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

15.9mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

20.3mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 5,62

€ 5,62 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

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Empaque de Producción (Tubo)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1€ 5,62
2€ 11,24
3€ 16,86
4€ 22,48
5€ 28,10
6€ 33,72
7€ 39,34
8€ 44,96
9€ 50,58
10€ 56,20
11€ 61,82
12€ 67,44
13€ 73,06
14€ 78,68
15€ 84,30

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Tipo de Encapsulado

TO-247AC

Tipo de montaje

Through Hole

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

23 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

580 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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180 nC a 10 V

Ancho

5.3mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

15.9mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

20.3mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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