MOSFET Infineon IRFP7537PBF, VDSS 60 V, ID 172 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
172 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
StrongIRFET
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
230000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
142 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
15.87mm
Ancho
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
20.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 24,55
€ 1,227 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
20
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Empaque de Producción (Tubo)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 1,227 | € 2,46 |
| 100 - 148 | € 1,198 | € 2,40 |
| 150 - 298 | € 1,168 | € 2,34 |
| 300+ | € 1,138 | € 2,28 |
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N
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172 A
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Series
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
230000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Longitud:
15.87mm
Ancho
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
20.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
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