Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
195 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
StrongIRFET
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
366 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
460 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
5.31mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.7mm
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
$ 34,92
$ 3,49 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
$ 34,92
$ 3,49 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
10 - 24 | $ 3,49 |
25 - 49 | $ 3,41 |
50 - 99 | $ 3,19 |
100+ | $ 2,97 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
195 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
StrongIRFET
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
366 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
460 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
5.31mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.7mm
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.