MOSFET Infineon IRFP3710PBF, VDSS 100 V, ID 57 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
57 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
25 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
190 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
5.3mm
Altura
20.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | € 2,42 |
| 5 - 9 | € 2,17 |
| 10 - 14 | € 1,94 |
| 15 - 19 | € 1,82 |
| 20+ | € 1,69 |
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HEXFET
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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Si
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-55 °C
Tensión de diodo directa
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La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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