MOSFET Infineon IRFP064NPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
5.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
15.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
170 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
20.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Conteo de Pines
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
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MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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