MOSFET Infineon IRFML8244TRPBF, VDSS 25 V, ID 5,8 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 737-7219Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFML8244TRPBFDistrelec Article No.: 30284046
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

41 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.35V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.35V

Disipación de Potencia Máxima

1,25 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,4 nC a 10 V

Anchura

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

3.04mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.02mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 12 V a 25 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 4,46

$ 0,223 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

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Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 4,46
40$ 8,93
60$ 13,39
80$ 17,86
100$ 22,32
120$ 26,78
140$ 31,25
160$ 35,71
180$ 40,18
200$ 44,64
220$ 49,10
240$ 53,57
260$ 58,03
280$ 62,49
300$ 66,96

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Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

41 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.35V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.35V

Disipación de Potencia Máxima

1,25 W

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Anchura

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Material del transistor

Si

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1

Longitud:

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.02mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 12 V a 25 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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