MOSFET Infineon IRFML8244TRPBF, VDSS 25 V, ID 5,8 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 737-7219Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFML8244TRPBFDistrelec Article No.: 30284046
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

41 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.35V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.35V

Disipación de Potencia Máxima

1,25 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,4 nC a 10 V

Profundidad

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.04mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.02mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 12 V a 25 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 3,81

€ 0,191 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

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Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

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Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

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20€ 3,81
40€ 7,62
60€ 11,43
80€ 15,24
100€ 19,05
120€ 22,86
140€ 26,67
160€ 30,48
180€ 34,29
200€ 38,10
220€ 41,91
240€ 45,72
260€ 49,53
280€ 53,34
300€ 57,15

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Tipo de montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

41 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.35V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.35V

Disipación de Potencia Máxima

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Profundidad

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Material del transistor

Si

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1

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.02mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 12 V a 25 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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