MOSFET Infineon IRFB4615PBF, VDSS 150 V, ID 35 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
39 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
144000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
10.67mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 nC a 10 V
Profundidad
4.83mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.02mm
Datos del producto
MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon
MOSFET para control del motor
Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.
MOSFET de rectificador síncrono
Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
39 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
144000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
10.67mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 nC a 10 V
Profundidad
4.83mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.02mm
Datos del producto
MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon
MOSFET para control del motor
Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.
MOSFET de rectificador síncrono
Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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