MOSFET Infineon IRFB4019PBF, VDSS 150 V, ID 17 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
95 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
80000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Profundidad
4.82mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.66mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
9.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de audio digital, Infineon
Los amplificadores de clase D se están convirtiendo rápidamente en la solución preferida para sistemas de audio y vídeo tanto profesionales como domésticos. Infineon ofrece una gama completa que simplifica el diseño del amplificador de clase D de alta eficacia.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 8,62
€ 1,723 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
€ 8,62
€ 1,723 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,723 | € 8,62 |
25 - 45 | € 1,433 | € 7,17 |
50 - 95 | € 1,291 | € 6,45 |
100 - 245 | € 1,153 | € 5,76 |
250+ | € 1,058 | € 5,29 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
95 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
80000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Profundidad
4.82mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.66mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
9.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de audio digital, Infineon
Los amplificadores de clase D se están convirtiendo rápidamente en la solución preferida para sistemas de audio y vídeo tanto profesionales como domésticos. Infineon ofrece una gama completa que simplifica el diseño del amplificador de clase D de alta eficacia.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.