MOSFET Infineon IRF9540NSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 23 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
117 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
73 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
9.65mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.83mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 71,27
€ 1,425 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 1,425 | € 14,25 |
| 100 - 240 | € 1,365 | € 13,65 |
| 250 - 490 | € 1,305 | € 13,05 |
| 500+ | € 0,825 | € 8,25 |
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
117 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
9.65mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.83mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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