MOSFET Infineon IRF7832TRPBF, VDSS 30 V, ID 20 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 827-3896Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF7832TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

20 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.32V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.39V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

34 nC a 4,5 V

Temperatura Máxima de Operación

+155 °C

Anchura

4mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.5mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 6,44

€ 0,644 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

MOSFET Infineon IRF7832TRPBF, VDSS 30 V, ID 20 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
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Estándar

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 6,44
20€ 12,87
30€ 19,31
40€ 25,75
50€ 32,19
60€ 38,62
70€ 45,06
80€ 51,50
90€ 57,93
100€ 64,37
110€ 70,81
120€ 77,25
130€ 83,68
140€ 90,12
150€ 96,56

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Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de Montaje

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8

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4.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.32V

Tensión de umbral de puerta mínima

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Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

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Single

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Material del transistor

Si

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1

Largo

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

34 nC a 4,5 V

Temperatura Máxima de Operación

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Anchura

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Temperatura Mínima de Funcionamiento

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Altura

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MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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