Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
55 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DIRECTFET ISOMÉTRICO
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.015 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.9V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
$ 4.561,41
$ 0,95 Each (On a Reel of 4800) (Sin IVA)
4800
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Tipo de Encapsulado
DIRECTFET ISOMÉTRICO
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
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0.015 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.9V
Número de Elementos por Chip
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Si