MOSFET Infineon IRF6648TRPBF, VDSS 60 V, ID 86 A, DirectFET ISOMETRIC
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
86 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
DirectFET, HEXFET
Tipo de Encapsulado
DIRECTFET ISOMÉTRICO
Tipo de montaje
Montaje superficial
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
89000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.05mm
Longitud
6.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
0.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia DirectFET™, Infineon
El encapsulado de alimentación DirectFET® es una tecnología de encapsulado MOSFET de potencia de montaje en superficie. El MOSFET DirectFET® es una solución para reducir pérdidas de energía a la vez que se reduce la huella del diseño en aplicaciones de conmutación avanzadas.
La resistencia en funcionamiento más baja del sector en sus respectivas huellas
Resistencia de encapsulado extremadamente baja para minimizar las pérdidas de conducción.
La refrigeración de doble cara altamente eficaz mejora significativamente las densidad de potencia, el coste y la fiabilidad
Perfil bajo de sólo 0,7 mm
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 4.167,56
€ 0,868 Each (On a Reel of 4800) (Sin IVA)
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
89000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.05mm
Longitud
6.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
0.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia DirectFET™, Infineon
El encapsulado de alimentación DirectFET® es una tecnología de encapsulado MOSFET de potencia de montaje en superficie. El MOSFET DirectFET® es una solución para reducir pérdidas de energía a la vez que se reduce la huella del diseño en aplicaciones de conmutación avanzadas.
La resistencia en funcionamiento más baja del sector en sus respectivas huellas
Resistencia de encapsulado extremadamente baja para minimizar las pérdidas de conducción.
La refrigeración de doble cara altamente eficaz mejora significativamente las densidad de potencia, el coste y la fiabilidad
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MOSFET Transistors, Infineon
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