Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
81 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DIRECTFET ISOMÉTRICO
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.0064 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.45V
Material del transistor
Silicon
Número de Elementos por Chip
1
$ 5.106,94
$ 1,064 Each (On a Reel of 4800) (Sin IVA)
4800
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N
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81 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DIRECTFET ISOMÉTRICO
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.0064 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.45V
Material del transistor
Silicon
Número de Elementos por Chip
1