MOSFET Infineon IRF5801TRPBF, VDSS 200 V, ID 600 mA, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
600 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
1.5mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,9 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
1.5mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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