MOSFET Infineon IRF540NPBF, VDSS 100 V, ID 33 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
44 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
4.69mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.54mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
71 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
8.77mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 12,77
€ 0,638 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
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20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,638 | € 12,77 |
| 100 - 180 | € 0,499 | € 9,97 |
| 200 - 480 | € 0,466 | € 9,32 |
| 500 - 980 | € 0,434 | € 8,68 |
| 1000+ | € 0,402 | € 8,05 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
44 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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Si
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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