MOSFET Infineon IRF5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
31,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.69mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Largo
10.54mm
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
8.77mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| 250+ | € 0,81 |
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P
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
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Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.69mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Largo
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Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
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Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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