MOSFET Infineon IRF1010ZSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 94 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
94 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
140000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
11.3mm
Material del transistor
Si
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 71,65
€ 1,433 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 1,433 | € 14,33 |
| 100 - 240 | € 1,372 | € 13,72 |
| 250 - 490 | € 1,311 | € 13,11 |
| 500+ | € 0,83 | € 8,30 |
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N
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94 A
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55 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
140000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
11.3mm
Material del transistor
Si
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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