MOSFET Infineon IPW65R037C6FKSA1, VDSS 700 V, ID 83 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
83 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
700 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
CoolMOS™ C6
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
37 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
500 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
330 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.21mm
Longitud
16.13mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.85V
Altura
21.1mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 355,23
€ 11,841 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 11,841 | € 355,23 |
| 60 - 60 | € 11,249 | € 337,46 |
| 90+ | € 10,538 | € 316,14 |
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N
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700 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
CoolMOS™ C6
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
37 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
500 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
330 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.21mm
Longitud
16.13mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.85V
Altura
21.1mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
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