Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolMOS™ P6
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
151 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.13mm
Profundidad
5.21mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
37 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Tensión de diodo directa
0.9V
Altura
21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon
La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
$ 18,24
$ 3,648 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | $ 3,648 | $ 18,24 |
25 - 45 | $ 2,918 | $ 14,59 |
50 - 120 | $ 2,699 | $ 13,50 |
125 - 245 | $ 2,517 | $ 12,59 |
250+ | $ 2,336 | $ 11,68 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolMOS™ P6
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
151 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.13mm
Profundidad
5.21mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
37 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Tensión de diodo directa
0.9V
Altura
21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon
La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.