MOSFET Infineon IPW60R041C6FKSA1, VDSS 650 V, ID 77,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
77.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolMOS™ C6
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
481 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
5.21mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
290 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 7,932 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Ancho
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Material del transistor
Si
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Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura Máxima de Operación
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Altura
21.1mm
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País de Origen
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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
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