MOSFET Infineon IPP60R099P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
31,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
CoolMOS™ P7
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.099 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
117 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
± 20 V
Profundidad
15.95mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.36mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.57mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
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€ 20,15
€ 4,029 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 4,029 | € 20,14 |
| 25 - 45 | € 3,385 | € 16,92 |
| 50 - 120 | € 3,183 | € 15,91 |
| 125 - 245 | € 2,94 | € 14,70 |
| 250+ | € 2,741 | € 13,70 |
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N
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.099 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
117 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
± 20 V
Profundidad
15.95mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.36mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
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