MOSFET Infineon IPP200N15N3 G, VDSS 150 V, ID 50 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Profundidad
4.57mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
15.95mm
Series
OptiMOS 3
País de Origen
China
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Price on asking
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Profundidad
4.57mm
Material del transistor
Si
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