MOSFET Infineon IPP120P04P4L03AKSA1, VDSS 40 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 145-9267Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPP120P04P4L03AKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

120 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Series

OptiMOS P

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

136000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.4mm

Longitud:

10mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

15.65mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 139,30

€ 2,786 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Tubo
50 - 50€ 2,786€ 139,30
100 - 200€ 2,647€ 132,36
250 - 450€ 2,507€ 125,37
500+€ 2,369€ 118,43

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P

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120 A

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Series

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Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

136000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.4mm

Longitud:

10mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

15.65mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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