Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
302 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-7
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC
Información de stock no disponible temporalmente.
€ 1.379,80
€ 1,725 Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPF009N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 302 A, PG-TO263-7 de 7 pines, 2elementos
800
€ 1.379,80
€ 1,725 Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPF009N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 302 A, PG-TO263-7 de 7 pines, 2elementos
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800
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InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
302 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-7
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC