MOSFET Infineon IPD50R650CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 9 A, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
CoolMOS™ CE
Tipo de Encapsulado
TO-252
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,65 O
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
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€ 555,18
€ 0,222 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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