MOSFET Infineon IPD50N06S4L08ATMA2, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
OptiMOS™
Tipo de Encapsulado
TO-252
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.0078 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon
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€ 800,63
€ 0,32 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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