MOSFET Infineon IPD50N04S410ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
OptiMOS™ -T2
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
41 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.41mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon
La nueva gama OptiMOS ™ T2 de Infineon ofrece una gran variedad de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y arrancadores eléctricos. La nueva gama de productos OptiMOS™ T2 amplía las gamas existentes OptiMOS™ -T y OptiMOS™.
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
41 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.41mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon
La nueva gama OptiMOS ™ T2 de Infineon ofrece una gran variedad de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y arrancadores eléctricos. La nueva gama de productos OptiMOS™ T2 amplía las gamas existentes OptiMOS™ -T y OptiMOS™.
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Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
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