Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
51 nC a 10 V
Anchura
7.47mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.41mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
€ 1.895,64
€ 0,758 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
€ 1.895,64
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Información de stock no disponible temporalmente.
2500
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
51 nC a 10 V
Anchura
7.47mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.41mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V