MOSFET Infineon IPB80P04P407ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 826-9487PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPB80P04P407ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Series

OptiMOS P

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7,7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

88 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

10mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

68 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Ancho

9.25mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

4.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 102,21

$ 2,044 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Infineon IPB80P04P407ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 25
50$ 102,21
75$ 153,32
100$ 204,42
125$ 244,67
150$ 293,61
175$ 342,54
200$ 391,48
225$ 440,41
250$ 467,97
275$ 514,77
300$ 561,56
325$ 608,36
350$ 655,16
375$ 701,95
400$ 748,75

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150$ 293,61
175$ 342,54
200$ 391,48
225$ 440,41
250$ 467,97
275$ 514,77
300$ 561,56
325$ 608,36
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
50 - 100$ 2,044$ 51,11
125 - 225$ 1,957$ 48,94
250 - 475$ 1,872$ 46,80
500+$ 1,742$ 43,56

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Tipo de Canal

P

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Series

OptiMOS P

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7,7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

88 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

10mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

68 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Ancho

9.25mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

4.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
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