MOSFET Infineon IPB60R099P7ATMA1, VDSS 650 V, ID 31 A, TO 263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
31,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolMOS™
Tipo de Encapsulado
TO 263
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.099 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon
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€ 2.018,08
€ 2,018 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
1000
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