MOSFET Infineon IPB200N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Series
OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
9.45mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
4.57mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
64 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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1.2V
País de Origen
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MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
MOSFET Transistors, Infineon
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