MOSFET Infineon IPB017N06N3GATMA1, VDSS 60 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 754-5412Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPB017N06N3GATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

180 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK-7

Series

OptiMOS™ 3

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

206 nC a 10 V

Ancho

9.45mm

Altura

4.57mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 3,57

€ 3,57 Each (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 9€ 3,57
10 - 24€ 3,10
25 - 49€ 2,90
50 - 99€ 2,71
100+€ 2,49

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Series

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Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

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1

Longitud

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

206 nC a 10 V

Ancho

9.45mm

Altura

4.57mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

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Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
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Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
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