Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
OptiMOS™ 5
Tipo de Encapsulado
D2PAK-7
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.57mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
208 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.45mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
4.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
$ 15,91
$ 7,956 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
$ 15,91
$ 7,956 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 18 | $ 7,956 | $ 15,91 |
20 - 98 | $ 6,785 | $ 13,57 |
100 - 198 | $ 5,881 | $ 11,76 |
200 - 498 | $ 5,566 | $ 11,13 |
500+ | $ 4,977 | $ 9,96 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
OptiMOS™ 5
Tipo de Encapsulado
D2PAK-7
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.57mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
208 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.45mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
4.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.