MOSFET Infineon IPA105N15N3GXKSA1, VDSS 150 V, ID 37 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
37 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Series
OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11.1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
40,5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.85mm
Largo
10.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
41 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
16.15mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 185,97
€ 3,719 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 185,97
€ 3,719 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 3,719 | € 185,97 |
| 100 - 200 | € 3,534 | € 176,70 |
| 250+ | € 3,347 | € 167,37 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
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11.1 mΩ
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Mejora
Disipación de Potencia Máxima
40,5 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
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Largo
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Número de Elementos por Chip
1
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Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
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País de Origen
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