Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
89 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
2000 V
Series
CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
Tipo de Encapsulado
PG-TO247-4-PLUS-NT14
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
País de Origen
Malaysia
Price on asking
Empaque de Producción (Tubo)
1
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N
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89 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
2000 V
Series
CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
Tipo de Encapsulado
PG-TO247-4-PLUS-NT14
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
País de Origen
Malaysia