MOSFET Infineon IMYH200R024M1HXKSA1, VDSS 2.000 V, ID 89 A, PG-TO247-4-PLUS-NT14 de 4 pines

Código de producto RS: 284-864Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IMYH200R024M1HXKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

89 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

2000 V

Series

CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-4-PLUS-NT14

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

4

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

País de Origen

Malaysia

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MOSFET Infineon IMYH200R024M1HXKSA1, VDSS 2.000 V, ID 89 A, PG-TO247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
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