Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Tipo de Encapsulado
PG-HSOF-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
€ 14.687,37
€ 7,344 1 Reel of 1 (Sin IVA)
2000
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N
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44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
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CoolSiC MOSFET 650 V G1
Tipo de Encapsulado
PG-HSOF-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC