Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Tipo de Encapsulado
PG-HSOF-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
€ 14.880,97
€ 7,44 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
€ 14.880,97
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Información de stock no disponible temporalmente.
2000
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Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Tipo de Encapsulado
PG-HSOF-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC