IGBT, IKW25N120H3FKSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
326 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Dimensiones
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Capacitancia de puerta
1430pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
4.3mJ
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 10,29
€ 5,145 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 4 | € 5,145 | € 10,29 |
| 6 - 18 | € 4,441 | € 8,88 |
| 20 - 38 | € 4,218 | € 8,44 |
| 40 - 98 | € 4,03 | € 8,06 |
| 100+ | € 3,461 | € 6,92 |
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Disipación de Potencia Máxima
326 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
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Tipo de Canal
N
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3
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Dimensiones
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Capacitancia de puerta
1430pF
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
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Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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