Memoria FRAM Infineon FM25V20A-DG, 8 pines, DFN, SPI, 2Mbit, 256K x 8 bits, 16ns, 2 V a 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
2Mbit
Organización
256K x 8 bit
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
16ns
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DFN
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
5 x 6 x 0.7mm
Longitud
6mm
Ancho
5mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
0.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Número de Bits de Palabra
8bit
Número de Palabras
256K
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 18,01 |
| 10 - 24 | € 14,88 |
| 25 - 99 | € 14,48 |
| 100 - 499 | € 14,11 |
| 500+ | € 13,77 |
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Tipo de Encapsulado
DFN
Conteo de Pines
8
Dimensiones del Cuerpo
5 x 6 x 0.7mm
Longitud
6mm
Ancho
5mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
0.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Número de Bits de Palabra
8bit
Número de Palabras
256K
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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