MOSFET Infineon BSS83PH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 330 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
330 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Series
SIPMOS®
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
2.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,38 nC a 10 V
Ancho
1.3mm
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 36,52
€ 0,146 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
250
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Empaque de Producción (Rollo)
250
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 250 - 450 | € 0,146 | € 7,30 |
| 500 - 1200 | € 0,138 | € 6,89 |
| 1250 - 2450 | € 0,127 | € 6,35 |
| 2500+ | € 0,097 | € 4,85 |
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
330 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Series
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
360 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,38 nC a 10 V
Ancho
1.3mm
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
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MOSFET Transistors, Infineon
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