Transistor MOSFET Infineon BSS215P, VDSS 20 V, ID 1,18 A, SOT-23 de 3 pines

Brand

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1.18 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

280 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3,6 nC a 4,5 V

Profundidad

1.3mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1mm

País de Origen

China